MMRF1314HR5

Το MMRF1314HR5 είναι ένα τρανζίστορ ισχύος ραδιοσυχνοτήτων που κατασκευάζεται από την NXP, ειδικά σχεδιασμένο για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων υψηλής ισχύος.

Βασικές παραμέτρους

• Τύπος προϊόντος: Τρανζιστοί RF MOSFET (Τρανζιστοί ραδιοσυχνοτήτων με αποτέλεσμα πεδίου μεταλλικών οξειδίων-ημιαγωγών)
• Κατασκευαστής: NXP
• Πολικότητα: N-Κανάλι
• Πακέτο: SOT1787
• Τεχνολογία: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

Ηλεκτρικές παραμέτρους

• Δραστηριακή συχνότητα: 1200 έως 1400 MHz
• Δύναμη εξόδου: 1000 W (πίκος)
• Τυπικό κέρδος (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (το ειδικό κέρδος μπορεί να ποικίλει ανάλογα με τη συχνότητα)
• Η τάση διάσπασης της πηγής αποστράγγισης (Vds): Δεν προσδιορίζεται άμεσα, αλλά τα τρανζίστορα LDMOS έχουν γενικά υψηλές τάσεις διακοπής
• Συνεχή ροή αποστράγγισης (Id): Δεν προσδιορίζεται άμεσα, αλλά καθορίζεται από τις απαιτήσεις εφαρμογής και σχεδιασμού
• Η τάση πύλης πύλης (Vgs): -6 V έως +10 V (περίοδος ελέγχου τάσης πύλης)
• Δυναμική διάσπαση (Pd): Δεν προσδιορίζεται άμεσα, αλλά απαιτεί καλό σχεδιασμό διάσπασης θερμότητας για εφαρμογές υψηλής ισχύος

Θερμοκρασία λειτουργίας

• Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +150°C
• Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -40°C

Χαρακτηριστικά εφαρμογής

• Λειτουργία ευρυζωνικής σύνδεσης: Εσωτερική αντιστοίχιση εισόδου και εξόδου για άνετη λειτουργία και χρήση ευρυζωνικής
• Ευελιξία στη διαμόρφωση: Χρησιμοποιείται σε μονόμετρο, σπρώξιμο ή τετραγωνικό σχήμα
• Υψηλή αντοχή: Κατάλληλο για εφαρμογές με παλμούς, ιδιαίτερα εξαιρετικό για στρατιωτικές και εμπορικές εφαρμογές ραντάρ υψηλής ισχύος L-band

Συμπληρωματικές πληροφορίες

• Πακέτο/Κουτί: συσκευασίες SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology), κατάλληλες για τεχνολογία επιφανειακής τοποθέτησης
• Ποσότητα συσκευασίας: Συνήθως συσκευάζονται σε ορισμένες ποσότητες (π.χ. 50 κομμάτια) ανά μονάδα