Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΙδιαίτερος ημιαγωγός

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Είμαι Online Chat Now

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Μεγάλες Εικόνας :  Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Λεπτομέρειες: Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Περιγραφή: MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

περιγραφή
Κατηγορία: Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs Μοναδικά FET, MOSFET Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135μA Θερμοκρασία λειτουργίας: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Πακέτο / Κουτί: ΤΟ-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Τεχνική διάταξη: nC 15 @ 10 Β
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ω @ 2A, 10V Τύπος FET: N-Κανάλι
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: 10V Πακέτο: Ταινία και τροχό (TR) Τραπέζια κόψιμο (CT) Digi-Reel®
Τεχνική μέθοδος: 560 V Vgs (μέγιστο): ±20V
Κατάσταση του προϊόντος: Παρωχημένο Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Τύπος στερέωσης: Επεξεργασία επιφανείας Σειρά: CoolMOS™
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή: ΠΡΟ-ΤΟ252-3-11 Δρ.: Ινφίνιον Τεχνολογίες
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 3.2A (TC) Διασκεδασμός δύναμης (Max): 38W (TC)
τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) Αριθμός βασικού προϊόντος: SPD03N

N-Channel 560 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια PG-TO252-3-11

Στοιχεία επικοινωνίας
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Miss. Coral

Τηλ.:: +86 15211040646

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα