Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΙδιαίτερος ημιαγωγός

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Είμαι Online Chat Now

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Μεγάλες Εικόνας :  Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Λεπτομέρειες: Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 30V 80A to263-3

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

περιγραφή
Κατηγορία: Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs Μοναδικά FET, MOSFET Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110μA Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C ~ 175°C (TJ)
Πακέτο / Κουτί: ΤΟ-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), ΤΟ-263AB Τεχνική διάταξη: 890,7 nC @ 10 V
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Τύπος FET: N-Κανάλι
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: 4.5V, 10V Πακέτο: Ταινία και τροχό (TR)
Τεχνική μέθοδος: 30 V Vgs (μέγιστο): ±20V
Κατάσταση του προϊόντος: Παρωχημένο Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Τύπος στερέωσης: Επεξεργασία επιφανείας Σειρά: OptiMOS™
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή: PG-TO263-3-2 Δρ.: Ινφίνιον Τεχνολογίες
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 80A (TC) Διασκεδασμός δύναμης (Max): 167W (TC)
τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) Αριθμός βασικού προϊόντος: SPB80N

N-Κανάλι 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια PG-TO263-3-2

Στοιχεία επικοινωνίας
Sensor (HK) Limited

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Liu Guo Xiong

Τηλ.:: +8618200982122

Φαξ: 86-755-8255222

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα