Είμαι Online Chat Now

SPP04N60C3HKSA1

SPP04N60C3HKSA1
SPP04N60C3HKSA1

Μεγάλες Εικόνας :  SPP04N60C3HKSA1

Λεπτομέρειες: Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3

SPP04N60C3HKSA1

περιγραφή
Κατηγορία: Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs Μοναδικά FET, MOSFET Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200μA Θερμοκρασία λειτουργίας: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Πακέτο / Κουτί: ΤΟ-220-3 Τεχνική διάταξη: nC 25 @ 10 Β
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2,8A, 10V Τύπος FET: N-Κανάλι
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: 10V Πακέτο: Τύπος
Τεχνική μέθοδος: 650 Β Vgs (μέγιστο): ±20V
Κατάσταση του προϊόντος: Παρωχημένο Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Τύπος στερέωσης: Μέσα από την τρύπα Σειρά: CoolMOS™
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή: PG-TO220-3-1 Δρ.: Ινφίνιον Τεχνολογίες
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 4.5Α (Tc) Διασκεδασμός δύναμης (Max): 50W (TC)
τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) Αριθμός βασικού προϊόντος: SPP04N

N-Κανάλι 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Μέσα από την τρύπα PG-TO220-3-1

Στοιχεία επικοινωνίας
Sensor (HK) Limited

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Liu Guo Xiong

Τηλ.:: +8618200982122

Φαξ: 86-755-8255222

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα